Le ministre Bains annoncera l'octroi de fonds pour l'infrastructure du Collège Georgian
Avis aux médias
Ottawa, le 6 janvier 2017 – Le ministre de l'Innovation, des Sciences et du Développement économique, l'honorable Navdeep Bains, et la députée provinciale de Barrie, l'honorable Ann Hoggarth, se rendront au collège Georgian pour annoncer du financement pour l'infrastructure. Le ministre Bains fera valoir les avantages du Fonds d'investissement stratégique pour les établissements postsecondaires du gouvernement du Canada.
Date : Le lundi 9 janvier 2017
Heure : 11 h 30
Lieu : Collège Georgian
Centre pour la santé, le bien-être et la science Sadlon (immeuble principal)
2e étage, salon des étudiants
1, promenade Georgian
Barrie (Ontario)
Suivez le ministre Bains sur Twitter : @MinistreISDE
Renseignements :
Philip Proulx
Attaché de presse
Cabinet du ministre de l'Innovation, des Sciences
et du Développement économique
343-291-2500
Relations avec les médias
Innovation, Sciences et
Développement économique Canada
343-291-1777
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